EUV(极紫外线)光掩模的制作是一个复杂的过程,涉及到多个步骤,主要包括:
掩模坯由衬底、反射多层、覆盖层、吸收剂层和硬掩模层组成。
衬底通常由高纯度的石英制成。
反射多层用于反射EUV光,通常由钼和硅的交替层构成。
覆盖层保护反射多层不受损伤。
吸收剂层用于吸收EUV光,通常由钽氮化物(TaN)或硅基材料构成。
硬掩模层用于保护吸收剂层,通常由硅或硅氧化物构成。
在掩模坯上方形成一层粘合层,用于固定光致抗蚀剂。
在粘合层上方形成一层光致抗蚀剂。
使用曝光和显影技术对光致抗蚀剂进行图案化,形成所需的图形。
使用图案化的光致抗蚀剂作为掩模,对粘合层进行图案化。
同样,使用图案化的光致抗蚀剂对硬掩模层进行图案化。
使用图案化的硬掩模层作为刻蚀掩模,对吸收剂层进行图案化。
图案化完成后,去除硬掩模层。
对掩模进行最终检验,确保图案的准确性和质量。
在整个过程中,需要注意的是,光致抗蚀剂层对粘合层的粘附性要高于对硬掩模层的粘附性,这是为了保证在后续的刻蚀过程中,吸收剂层能够被正确地转移图案到衬底上。